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STGW39NC60VD备选型号: STGW30NC60WD
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- 底架
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- 引脚数
- 晶体管元件材料
- Collector-Emitter Saturation Voltage
- 操作温度
- 包装
- 系列
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 电压 - 额定直流
- 最大功率耗散
- 额定电流
- 基本部件号
- 引脚数量
- 元素配置
- 功率耗散
- 箱体转运
- 输入类型
- 接通延迟时间
- 晶体管应用
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- 极性/通道类型
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 反向恢复时间
- 连续放电电流(ID)
- JEDEC-95代码
- 接通时间
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
- 关断时间-标准值（toff)
- 闸门收费
- 集极脉冲电流（Icm）
- Td（开/关）@25°C
- 开关能量
- 栅极-发射极电压-最大值
- 栅极-发射极Thr电压-最大值
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 端子表面处理
STMICROELECTRONICS STGW39NC60VD IGBT Single Transistor, 80 A, 2.5 V, 250 W, 600 V, TO-247, 3 PinsACTIVE (Last Updated: 7 months ago)8 WeeksTin通孔通孔TO-247-33SILICON600V1.8V-55°C~150°C TJTubePowerMESH™e3活跃1 (Unlimited)3EAR99600V250W40ASTGW393Single250WISOLATEDStandard33 ns电源控制13ns600VN-CHANNEL600V80A45ns40ATO-247AC46 ns2.4V @ 15V, 30A366 ns126nC220A33ns/178ns333μJ (on), 537μJ (off)20V5.75V20.15mm15.75mm5.15mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅-- STMICROELECTRONICS STGW30NC60WD IGBT Single Transistor, 60 A, 2.5 V, 200 W, 600 V, TO-247, 3 PinsACTIVE (Last Updated: 8 months ago)8 Weeks-通孔通孔TO-247-33SILICON600V2.1V-55°C~150°C TJTubePowerMESH™e3活跃1 (Unlimited)3EAR99600V200W60ASTGW303Single200WISOLATEDStandard29.5 ns电源控制12ns-N-CHANNEL600V60A40 ns-TO-247AC42.5 ns2.5V @ 15V, 20A189 ns102nC150A29.5ns/118ns305μJ (on), 181μJ (off)20V5.75V20.15mm15.75mm5.15mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅Tin (Sn)
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | HGTG20N60A4D | ON Semiconductor | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-247-3 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR HGTG20N60A4D IGBT Single Transistor, General Purpose, 70 A, 2.7 V, 290 W, 600 V, TO-247, 3 Pins | 对比 |
| STGW30NC60WD | STMicroelectronics | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-247-3 | STMICROELECTRONICS STGW30NC60WD IGBT Single Transistor, 60 A, 2.5 V, 200 W, 600 V, TO-247, 3 Pins | 对比 |
 | FGH40N60UFTU | ON Semiconductor | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-247-3 | IGBT 600V 80A 290W TO247 | 对比 |
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