STGW40H65DFB备选型号: FGH40N65UFDTU-F085
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- ECCN 代码
- 最大功率耗散
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 元素配置
- 输入类型
- 功率 - 最大
- 极性/通道类型
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 反向恢复时间
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
- IGBT类型
- 闸门收费
- 集极脉冲电流(Icm)
- Td(开/关)@25°C
- 开关能量
- 栅极-发射极电压-最大值
- 高度
- 长度
- 宽度
- RoHS状态
- 无铅
- 系列
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- IGBT 650V 80A 283W TO-247ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)20 Weeks通孔通孔TO-247-3338.000013g650V1.8V-55°C~175°C TJTube活跃1 (Unlimited)EAR99283W未说明未说明STGW40SingleStandard283WN-CHANNEL650V80A62 ns2V @ 15V, 40A沟渠现场停车210nC160A40ns/142ns498μJ (on), 363μJ (off)20V20.15mm15.75mm5.15mmROHS3 Compliant无铅---
- Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 3-Pin TO-247 Tube-12 Weeks通孔通孔TO-247-336.39g650V--55°C~150°C TJTube活跃1 (Unlimited)-290W---SingleStandard290W-2.4V80A65 ns2.4V @ 15V, 40A场站119nC120A23ns/126ns1.28mJ (on), 500μJ (off)----ROHS3 Compliant-Automotive, AEC-Q1012016yes
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | STGW60H65FB | STMicroelectronics | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-247-3 | IGBT Transistors 650V 60A Trench Gate Field-Stop IGBT | 对比 |
![]() | IKW50N65H5FKSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-247-3 | IGBT Transistors IGBT PRODUCTS | 对比 |
![]() | STGW60H65DFB | STMicroelectronics | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-247-3 | IGBT 650V 80A 375W TO-247 | 对比 |





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