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首页 全部分类 STGW40H65DFB vs IKW50N65H5FKSA1

STGW40H65DFB备选型号: IKW50N65H5FKSA1

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  • 栅极-发射极电压-最大值
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
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  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 端子表面处理
  • 功率耗散
  • 达到SVHC
  • STMicroelectronics
    STGW40H65DFB
    STMicroelectronics
    IGBT 650V 80A 283W TO-247
    ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
    20 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    38.000013g
    650V
    1.8V
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    283W
    未说明
    未说明
    STGW40
    Single
    Standard
    283W
    N-CHANNEL
    650V
    80A
    62 ns
    2V @ 15V, 40A
    沟渠现场停车
    210nC
    160A
    40ns/142ns
    498μJ (on), 363μJ (off)
    20V
    20.15mm
    15.75mm
    5.15mm
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IKW50N65H5FKSA1
    Infineon Technologies
    IGBT Transistors IGBT PRODUCTS
    -
    14 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    -
    650V
    1.65V
    -40°C~175°C TJ
    Tube
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    305W
    未说明
    未说明
    -
    Single
    Standard
    -
    -
    1.65V
    80A
    57 ns
    2.1V @ 15V, 50A
    -
    120nC
    150A
    21ns/180ns
    520μJ (on), 180μJ (off)
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    TrenchStop®
    2008
    e3
    yes
    Tin (Sn)
    305W
    Unknown
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