STMicroelectronics STGW60H65DFB
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STGW60H65DFB
2381-STGW60H65DFB
晶体管 - IGBT - 单个
TO-247-3
大陆
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IGBT 650V 80A 375W TO-247
--最小包装量--
STGW60H65DFB详情
STMicroelectronics STGW60H65DFB重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
工厂交货时间
20 Weeks
底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-247-3
引脚数
3
质量
38.000013g
Collector-Emitter Breakdown Voltage
650V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.6V
Test Conditions
400V, 60A, 5 Ω, 15V
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tube
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
ECCN 代码
EAR99
最大功率耗散
375W
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
基本部件号
STGW60
元素配置
Single
输入类型
Standard
功率 - 最大
375W
极性/通道类型
N-CHANNEL
集电极发射器电压(VCEO)
650V
最大集电极电流
80A
反向恢复时间
60 ns
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
2V @ 15V, 60A
IGBT类型
沟渠现场停车
闸门收费
306nC
集极脉冲电流(Icm)
240A
Td(开/关)@25°C
51ns/160ns
开关能量
1.09mJ (on), 626μJ (off)
栅极-发射极电压-最大值
20V
高度
20.15mm
长度
15.75mm
宽度
5.15mm
达到SVHC
无SVHC
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
STGW60H65DFB拓展信息
STMicroelectronics
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