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STGW40V60DF备选型号: FGH40N60SMD
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- 功率耗散
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- 集电极发射器电压(VCEO)
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- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
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- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 质量
- 晶体管元件材料
- 已出版
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- 附加功能
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- 箱体转运
- 功率 - 最大
- 晶体管应用
- 极性/通道类型
- JEDEC-95代码
- 接通时间
- 关断时间-标准值（toff)
- 栅极-发射极电压-最大值
- 栅极-发射极Thr电压-最大值
- 最大下降时间 (tf)
- 达到SVHC
IGBT 600V 80A 283W TO24720 Weeks通孔通孔TO-247-33600V2.35V-55°C~175°C TJTube活跃1 (Unlimited)EAR99283WSTGW40Single283WStandard600V80A41ns2.3V @ 15V, 40A沟渠现场停车226nC160A52ns/208ns456μJ (on), 411μJ (off)20.15mm15.75mm5.15mm无ROHS3 Compliant无铅---------------------
IGBT 600V 80A 349W TO-247-35 Weeks通孔通孔TO-247-33600V2.1V-55°C~175°C TJTube活跃1 (Unlimited)EAR99349WFGH40N60Single-Standard600V80A36 ns2.5V @ 15V, 40A场站119nC120A12ns/92ns870μJ (on), 260μJ (off)20.6mm15.6mm4.7mm无ROHS3 Compliant无铅6.39gSILICON2013e3yes3Tin (Sn)低导通损耗8541.29.00.9528nsCOLLECTOR349W电源控制N-CHANNELTO-247AB37 ns132 ns20V6V17ns无SVHC- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| FGH40N60SMD | ON Semiconductor | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-247-3 | IGBT 600V 80A 349W TO-247-3 | 对比 |
| STGW39NC60VD | STMicroelectronics | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-247-3 | STMICROELECTRONICS STGW39NC60VD IGBT Single Transistor, 80 A, 2.5 V, 250 W, 600 V, TO-247, 3 Pins | 对比 |
| STGW30NC60WD | STMicroelectronics | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-247-3 | STMICROELECTRONICS STGW30NC60WD IGBT Single Transistor, 60 A, 2.5 V, 200 W, 600 V, TO-247, 3 Pins | 对比 |
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