STGW50HF60S备选型号: IKW50N60H3FKSA1
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- 描述:
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 质量
- 晶体管元件材料
- Collector-Emitter Saturation Voltage
- 操作温度
- 包装
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 最大功率耗散
- 基本部件号
- JESD-30代码
- 元素配置
- 输入类型
- 接通延迟时间
- 功率 - 最大
- 晶体管应用
- 极性/通道类型
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 接通时间
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
- 关断时间-标准值(toff)
- 闸门收费
- 集极脉冲电流(Icm)
- Td(开/关)@25°C
- 开关能量
- 栅极-发射极电压-最大值
- 栅极-发射极Thr电压-最大值
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 工厂交货时间
- 引脚数
- 系列
- 已出版
- 无铅代码
- 引脚数量
- 反向恢复时间
- IGBT类型
- IGBT 600V 110A 284W TO247通孔通孔TO-247-36.500007gSILICON600V1.15V-55°C~150°C TJTubee3Obsolete1 (Unlimited)3EAR99Tin (Sn)284WSTGW50R-PSFM-T3SingleStandard50 ns284W电源控制N-CHANNEL600V110A69 ns1.45V @ 15V, 30A950 ns200nC130A50ns/220ns250μJ (on), 4.2mJ (off)20V5.7V无ROHS3 Compliant无铅--------
- IGBT 600V 100A 333W TO247-3通孔通孔TO-247-3-SILICON600V--40°C~175°C TJTubee3活跃1 (Unlimited)3EAR99Tin (Sn)333W--SingleStandard-333W电源控制N-CHANNEL600V100A54 ns2.3V @ 15V, 50A297 ns315nC200A23ns/235ns2.36mJ--无ROHS3 Compliant无铅16 Weeks3TrenchStop®2008yes3130 ns沟渠现场停车
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | APT50GT60BRG | Microsemi Corporation | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-247-3 | IGBT 600V 110A 446W TO247 | 对比 |
| FGH40N60UFDTU | ON Semiconductor | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-247-3 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FGH40N60UFDTU IGBT Single Transistor, General Purpose, 80 A, 600 V, 290 W, 600 V, TO-247AB, 3 Pins | 对比 | |
![]() | IKW50N60H3FKSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-247-3 | IGBT 600V 100A 333W TO247-3 | 对比 |





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