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首页 全部分类 STGW60V60DLF vs STGW20NC60VD

STGW60V60DLF备选型号: STGW20NC60VD

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  • 开关能量
  • 栅极-发射极电压-最大值
  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • STMicroelectronics
    STGW60V60DLF
    STMicroelectronics
    600 V, 60 A VERY HIGH SPEED TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT
    40 Weeks
    通孔
    TO-247
    3
    活跃
    不适用
    175°C
    -55°C
    375W
    STGW60
    Single
    600V
    60A
    20.15mm
    15.75mm
    5.15mm
    ROHS3 Compliant
    -
    -
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  • STMicroelectronics
    STGW20NC60VD
    STMicroelectronics
    STMICROELECTRONICS STGW20NC60VD IGBT Single Transistor, 60 A, 2.5 V, 200 W, 600 V, TO-247, 3 Pins
    8 Weeks
    通孔
    TO-247-3
    3
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    200W
    STGW20
    Single
    600V
    60A
    20.15mm
    15.75mm
    5.15mm
    ROHS3 Compliant
    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
    通孔
    38.000013g
    SILICON
    600V
    2.5V
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    PowerMESH™
    e3
    3
    EAR99
    Tin (Sn)
    超快
    600V
    30A
    3
    200W
    Standard
    31 ns
    电源控制
    11.5ns
    N-CHANNEL
    44ns
    42.5 ns
    2.5V @ 15V, 20A
    30A
    280 ns
    100nC
    150A
    31ns/100ns
    220μJ (on), 330μJ (off)
    20V
    5.75V
    无SVHC
    无
    无铅
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