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STGWA15M120DF3备选型号: STGW15M120DF3
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- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 元素配置
- 输入类型
- 功率 - 最大
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 反向恢复时间
- 电压 - 集射极击穿（最大值）
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
- IGBT类型
- 闸门收费
- 集极脉冲电流（Icm）
- Td（开/关）@25°C
- 开关能量
- 达到SVHC
- RoHS状态
STMICROELECTRONICS STGWA15M120DF3 IGBT Single Transistor, 30 A, 1.85 V, 259 W, 1.2 kV, TO-247, 3 PinsACTIVE (Last Updated: 8 months ago)30 Weeks通孔通孔TO-247-3338.000013g1.2kV1.85V-55°C~175°C TJTube活跃1 (Unlimited)EAR99259W未说明未说明STGWA15SingleStandard259W1.2kV30A270 ns1200V2.3V @ 15V, 15A沟渠现场停车53nC60A26ns/122ns550μJ (on), 850μJ (off)无SVHCROHS3 Compliant
STMICROELECTRONICS STGW15M120DF3 IGBT Single Transistor, 30 A, 1.85 V, 259 W, 1.2 kV, TO-247, 3 PinsACTIVE (Last Updated: 8 months ago)30 Weeks通孔通孔TO-247-3338.000013g1.2kV1.85V-55°C~175°C TJTube活跃1 (Unlimited)EAR99259W未说明未说明STGW15SingleStandard259W1.2kV30A270 ns1200V2.3V @ 15V, 15A沟渠现场停车226nC60A26ns/122ns550μJ (on), 850μJ (off)无SVHCROHS3 Compliant- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | FGH15T120SMD-F155 | ON Semiconductor | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-247-3 | IGBT 1200V 30A 333W TO247-3 | 对比 |
| STGW15M120DF3 | STMicroelectronics | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-247-3 | STMICROELECTRONICS STGW15M120DF3 IGBT Single Transistor, 30 A, 1.85 V, 259 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pins | 对比 |
| STGWA15S120DF3 | STMicroelectronics | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-247-3 | STMICROELECTRONICS STGWA15S120DF3 IGBT, SINGLE, 1.2KV, 30A, TO-247-3 | 对比 |
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