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首页 全部分类 STGWA30M65DF2 vs IRGP4262D-EPBF

STGWA30M65DF2备选型号: IRGP4262D-EPBF

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  • IGBT类型
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  • 已出版
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  • 栅极-发射极电压-最大值
  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
  • 最大下降时间 (tf)
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • STMicroelectronics
    STGWA30M65DF2
    STMicroelectronics
    STMICROELECTRONICS STGWA30M65DF2 IGBT Single Transistor, 60 A, 1.55 V, 258 W, 650 V, TO-247, 3 Pins
    ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
    30 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    650V
    1.55V
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    258W
    未说明
    未说明
    STGWA30
    Single
    Standard
    258W
    2V
    60A
    140 ns
    2V @ 15V, 30A
    沟渠现场停车
    80nC
    120A
    31.6ns/115ns
    300μJ (on), 960μJ (off)
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRGP4262D-EPBF
    Infineon Technologies
    IGBT 650V 60A 250W TO247AC
    -
    15 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    650V
    1.7V
    -40°C~175°C TJ
    Tube
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    EAR99
    250W
    -
    -
    -
    Single
    Standard
    250W
    2.1V
    60A
    170 ns
    2.1V @ 15V, 24A
    -
    70nC
    96A
    24ns/73ns
    520μJ (on), 240μJ (off)
    无SVHC
    符合RoHS标准
    2013
    45ns
    N-CHANNEL
    20V
    7.7V
    40ns
    无
    无铅
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