STGWA80H65FB备选型号: STGW40H65FB
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- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 质量
- Collector-Emitter Saturation Voltage
- 操作温度
- 包装
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- ECCN 代码
- 最大功率耗散
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 元素配置
- 输入类型
- 功率 - 最大
- 极性/通道类型
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
- IGBT类型
- 闸门收费
- 集极脉冲电流(Icm)
- Td(开/关)@25°C
- 开关能量
- 栅极-发射极电压-最大值
- 栅极-发射极Thr电压-最大值
- RoHS状态
- 生命周期状态
- 功率耗散
- 高度
- 长度
- 宽度
- 辐射硬化
- 无铅
- Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A 3-Pin TO-247 Tube20 Weeks通孔通孔TO-247-3338.000013g650V1.6V-55°C~175°C TJTube活跃1 (Unlimited)EAR99469W未说明未说明STGWA80SingleStandard469WN-CHANNEL650V120A2V @ 15V, 80A沟渠现场停车414nC240A84ns/280ns2.1mJ (on), 1.5mJ (off)20V7VROHS3 Compliant-------
- IGBT Transistors 650V 40A Trench Gate Field-Stop IGBT20 Weeks通孔通孔TO-247-33-650V1.6V-55°C~175°C TJTube活跃1 (Unlimited)EAR99283W--STGW40SingleStandard--650V80A2.3V @ 15V, 40A沟渠现场停车210nC160A40ns/142ns498mJ (on), 363mJ (off)--ROHS3 CompliantACTIVE (Last Updated: 8 months ago)283W20.15mm15.75mm5.15mm无无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | STGW60H65FB | STMicroelectronics | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-247-3 | IGBT Transistors 650V 60A Trench Gate Field-Stop IGBT | 对比 |
| FGH60T65SHD-F155 | ON Semiconductor | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-247-3 | IGBT 650V 120A 349W TO-247 | 对比 | |
![]() | IXXH40N65B4 | IXYS | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-247-3 | IGBT Transistors 650V/120A TRENCH IGBT GENX4 XPT | 对比 |




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