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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥39.074134
10
¥36.862389
100
¥34.775839
500
¥32.807394
1000
¥30.950374
STMicroelectronics STGWA80H65FB
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- 对比
STGWA80H65FB
2381-STGWA80H65FB
晶体管 - IGBT - 单个
TO-247-3
大陆
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Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A 3-Pin TO-247 Tube
--最小包装量--
¥
总价: ¥
STGWA80H65FB详情
STMicroelectronics STGWA80H65FB重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
20 Weeks
底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-247-3
引脚数
3
质量
38.000013g
Collector-Emitter Breakdown Voltage
650V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.6V
Test Conditions
400V, 80A, 10 Ω, 15V
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tube
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
ECCN 代码
EAR99
最大功率耗散
469W
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
基本部件号
STGWA80
元素配置
Single
输入类型
Standard
功率 - 最大
469W
极性/通道类型
N-CHANNEL
集电极发射器电压(VCEO)
650V
最大集电极电流
120A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
2V @ 15V, 80A
IGBT类型
沟渠现场停车
闸门收费
414nC
集极脉冲电流(Icm)
240A
Td(开/关)@25°C
84ns/280ns
开关能量
2.1mJ (on), 1.5mJ (off)
栅极-发射极电压-最大值
20V
栅极-发射极Thr电压-最大值
7V
RoHS状态
ROHS3 Compliant
STGWA80H65FB拓展信息
STMicroelectronics
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