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首页 全部分类 STGWT30V60F vs IXGP30N60C3

STGWT30V60F备选型号: IXGP30N60C3

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  • 质量
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  • 晶体管应用
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  • 关断时间-标准值（toff)
  • 栅极-发射极电压-最大值
  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
  • 无铅
  • STMicroelectronics
    STGWT30V60F
    STMicroelectronics
    IGBT Transistors 600V 30A Hi Spd TrenchGate FieldStop
    ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
    32 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-3P-3, SC-65-3
    3
    600V
    2.3V
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    260W
    STGWT30
    Single
    260W
    Standard
    600V
    60A
    2.3V @ 15V, 30A
    沟渠现场停车
    163nC
    120A
    45ns/189ns
    383μJ (on), 233μJ (off)
    20.1mm
    15.8mm
    5mm
    无
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • IXYS
    IXGP30N60C3
    IXYS
    IGBT 600V 60A 220W TO220AB
    -
    20 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    600V
    2.6V
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    220W
    IXG*30N60
    Single
    220W
    Standard
    600V
    60A
    3V @ 15V, 20A
    PT
    38nC
    150A
    16ns/42ns
    270μJ (on), 90μJ (off)
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    2.299997g
    SILICON
    2009
    GenX3™
    e3
    yes
    3
    Matte Tin (Sn)
    未说明
    未说明
    3
    不合格
    COLLECTOR
    电源控制
    N-CHANNEL
    TO-220AB
    45 ns
    160 ns
    20V
    5.5V
    无铅
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