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首页 全部分类 STGWT40H60DLFB vs FGH40N60UFTU

STGWT40H60DLFB备选型号: FGH40N60UFTU

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  • 晶体管应用
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  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
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  • 无铅
  • STMicroelectronics
    STGWT40H60DLFB
    STMicroelectronics
    IGBT 600V 80A 283W TO3P-3L
    TO-3P-3, SC-65-3
    通孔
    通孔
    3
    6.756003g
    600V
    1.6V
    Tube
    -55°C~175°C TJ
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    EAR99
    283W
    STGWT40
    Single
    Standard
    283W
    N-CHANNEL
    600V
    80A
    2V @ 15V, 40A
    沟渠现场停车
    210nC
    160A
    -/142ns
    363μJ (off)
    20V
    5mm
    15.8mm
    20.1mm
    ROHS3 Compliant
    无
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FGH40N60UFTU
    ON Semiconductor
    IGBT 600V 80A 290W TO247
    TO-247-3
    通孔
    通孔
    3
    6.39g
    600V
    1.8V
    Tube
    -55°C~150°C TJ
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    290W
    FGH40N60
    Single
    Standard
    290W
    N-CHANNEL
    600V
    80A
    2.4V @ 15V, 40A
    场站
    120nC
    120A
    24ns/112ns
    1.19mJ (on), 460μJ (off)
    20V
    4.7mm
    15.6mm
    20.6mm
    ROHS3 Compliant
    无
    6 Weeks
    ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
    SILICON
    2015
    e3
    yes
    3
    Tin (Sn)
    低导通损耗
    8541.29.00.95
    COLLECTOR
    24 ns
    电源控制
    TO-247AB
    110 ns
    190 ns
    6.5V
    100ns
    无SVHC
    无铅
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