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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥31.536328
10
¥29.751254
100
¥28.067223
500
¥26.478509
1000
¥24.97973
STMicroelectronics STGWT40H60DLFB
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- 对比
STGWT40H60DLFB
2381-STGWT40H60DLFB
晶体管 - IGBT - 单个
TO-3P-3, SC-65-3
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IGBT 600V 80A 283W TO3P-3L
--最小包装量--
¥
总价: ¥
STGWT40H60DLFB详情
STMicroelectronics STGWT40H60DLFB重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
包装/外壳
TO-3P-3, SC-65-3
安装类型
通孔
底架
通孔
引脚数
3
质量
6.756003g
Collector-Emitter Breakdown Voltage
600V
Test Conditions
400V, 40A, 10 Ω, 15V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.6V
包装
Tube
操作温度
-55°C~175°C TJ
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
ECCN 代码
EAR99
最大功率耗散
283W
基本部件号
STGWT40
元素配置
Single
输入类型
Standard
功率 - 最大
283W
极性/通道类型
N-CHANNEL
集电极发射器电压(VCEO)
600V
最大集电极电流
80A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
2V @ 15V, 40A
IGBT类型
沟渠现场停车
闸门收费
210nC
集极脉冲电流(Icm)
160A
Td(开/关)@25°C
-/142ns
开关能量
363μJ (off)
栅极-发射极电压-最大值
20V
宽度
5mm
长度
15.8mm
高度
20.1mm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
辐射硬化
无
STGWT40H60DLFB拓展信息
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