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首页 全部分类 STGY50NC60WD vs STGY40NC60VD

STGY50NC60WD备选型号: STGY40NC60VD

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  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
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  • 长度
  • 宽度
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  • 端子表面处理
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  • 额定电流
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 连续放电电流(ID)
  • STMicroelectronics
    STGY50NC60WD
    STMicroelectronics
    IGBT, N 600V 19A MAX247 - More Details
    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
    8 Weeks
    Tin
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    247
    SILICON
    600V
    2.5V
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    PowerMESH™
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    通孔
    EAR99
    278W
    STGY50
    3
    R-PSFM-T3
    Single
    260W
    Standard
    52 ns
    278W
    电源控制
    17ns
    N-CHANNEL
    600V
    110A
    55 ns
    69 ns
    2.6V @ 15V, 40A
    271 ns
    195nC
    180A
    52ns/240ns
    365μJ (on), 560μJ (off)
    20V
    5.75V
    20.3mm
    15.9mm
    5.3mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    STGY40NC60VD
    STMicroelectronics
    STMICROELECTRONICS STGY40NC60VD IGBT Single Transistor, 80 A, 2.5 V, 260 W, 600 V, MAX-247, 3 Pins
    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
    8 Weeks
    -
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    SILICON
    600V
    2.5V
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    PowerMESH™
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    -
    EAR99
    260W
    STGY40
    3
    -
    Single
    260W
    Standard
    43 ns
    -
    电源控制
    19ns
    N-CHANNEL
    600V
    80A
    44ns
    61 ns
    2.5V @ 15V, 40A
    247 ns
    214nC
    -
    43ns/140ns
    330μJ (on), 720μJ (off)
    20V
    5.75V
    20.3mm
    15.9mm
    5.3mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    e3
    Tin (Sn)
    600V
    50A
    600V
    50A
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