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STH270N8F7-2备选型号: STH275N8F7-2AG
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- 描述:
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 附加功能
- 终端形式
- 基本部件号
- JESD-30代码
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级（Eas）
- 高度
- 长度
- 宽度
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 配置
- 漏源电压 (Vdss)
MOSFET N-CH 80V 180A H2PAK-2ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)15 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab) Variant3SILICON180A Tc-55°C~175°C TJCut Tape (CT)DeepGATE™, STripFET™ VII活跃1 (Unlimited)2EAR99超低电阻鸥翼STH270R-PSSO-G2Single增强型MOSFET315WDRAIN56 nsN-ChannelSWITCHING2.1m Ω @ 90A, 10V4V @ 250μA13600pF @ 50V193nC @ 10V180ns±20V42 ns180A20V0.0021Ohm80V720A1160 mJ4.8mm10.4mm15.8mm无ROHS3 Compliant无铅----
MOSFET N-CH 80V 180A H2PAK-2ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)-表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB--180A Tc-55°C~175°C TJCut Tape (CT)Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F7活跃1 (Unlimited)-EAR99--STH275------N-Channel-2.1m Ω @ 90A, 10V4.5V @ 250μA13600pF @ 50V193nC @ 10V-±20V-180A---------ROHS3 Compliant-未说明未说明Single80V- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| STH310N10F7-2 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-2 | 对比 |
| STH275N8F7-2AG | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 80V 180A H2PAK-2 | 对比 |
 | IRFS7730PBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 75V 195A D2PAK | 对比 |
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