Infineon Technologies IRFS7730PBF
- 收藏
- 对比
IRFS7730PBF
1211-IRFS7730PBF
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
大陆
立即发货

MOSFET N-CH 75V 195A D2PAK
--最小包装量--
IRFS7730PBF详情
Infineon Technologies IRFS7730PBF重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
17 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
引脚数
3
质量
3.949996g
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
195A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
6V 10V
Power Dissipation (Max)
375W Tc
Turn Off Delay Time
180 ns
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tube
系列
HEXFET®, StrongIRFET™
已出版
2013
零件状态
Discontinued
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
ECCN 代码
EAR99
通道数量
1
元素配置
Single
功率耗散
375W
接通延迟时间
21 ns
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
2.6m Ω @ 100A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3.7V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
13660pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
407nC @ 10V
上升时间
120ns
漏源电压 (Vdss)
75V
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
115 ns
连续放电电流(ID)
195A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
高度
4.83mm
长度
10.67mm
宽度
9.65mm
达到SVHC
无SVHC
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
IRFS7730PBF拓展信息
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies










哦! 它是空的。