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STH270N8F7-6备选型号: IRFS7530TRLPBF
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- 生命周期状态
- 包装/外壳
- 安装类型
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- 引脚数
- 晶体管元件材料
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- 包装
- 操作温度
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 附加功能
- 终端形式
- 基本部件号
- JESD-30代码
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 宽度
- 长度
- 高度
- RoHS状态
- 辐射硬化
- 无铅
- 工厂交货时间
- 质量
- 已出版
- JESD-609代码
- 端子表面处理
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 通道数量
- 漏源电压 (Vdss)
- 阈值电压
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- DS 击穿电压-最小值
- 达到SVHC
MOSFET N-CH 80V 180A H2PAK-6ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab)表面贴装表面贴装7SILICON98 nsDeepGATE™, STripFET™ VIICut Tape (CT)-55°C~175°C TJ活跃1 (Unlimited)6EAR99超低电阻鸥翼STH270R-PSSO-G6Single增强型MOSFET315WDRAIN56 nsN-ChannelSWITCHING2.1m Ω @ 90A, 10V4V @ 250μA13600pF @ 50V193nC @ 10V180ns±20V42 ns180A20V80V15.25mm10.4mm4.8mmROHS3 Compliant无无铅--------------
MOSFET N CH 60V 195A D2PAK-TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB表面贴装表面贴装3SILICON195A TcHEXFET®, StrongIRFET™Tape & Reel (TR)-55°C~175°C TJ活跃1 (Unlimited)2EAR99-鸥翼-R-PSSO-G2Single增强型MOSFET375WDRAIN52 nsN-ChannelSWITCHING2m Ω @ 100A, 10V3.7V @ 250μA13703pF @ 25V411nC @ 10V141ns±20V104 ns195A20V-9.65mm10.67mm4.83mmROHS3 Compliant-无铅12 Weeks3.949996g2013e3Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier26030160V3.7V0.002Ohm760A60V无SVHC- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IRFS7530TRLPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N CH 60V 195A D2PAK | 对比 |
 | IPB180N08S402ATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab) | MOSFET N-CH TO263-7 | 对比 |
 | STH315N10F7-6 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab) | STMICROELECTRONICS STH315N10F7-6 MOSFET Transistor, N Channel, 180 A, 100 V, 0.0021 ohm, 10 V, 3.5 V | 对比 |
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