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首页 全部分类 STH270N8F7-6 vs STH315N10F7-6

STH270N8F7-6备选型号: STH315N10F7-6

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  • 终止次数
  • ECCN 代码
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  • 终端形式
  • 基本部件号
  • JESD-30代码
  • 元素配置
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  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 宽度
  • 长度
  • 高度
  • RoHS状态
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • 质量
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 通道数量
  • 阈值电压
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 达到SVHC
  • STMicroelectronics
    STH270N8F7-6
    STMicroelectronics
    MOSFET N-CH 80V 180A H2PAK-6
    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
    TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab)
    表面贴装
    表面贴装
    7
    SILICON
    98 ns
    DeepGATE™, STripFET™ VII
    Cut Tape (CT)
    -55°C~175°C TJ
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    超低电阻
    鸥翼
    STH270
    R-PSSO-G6
    Single
    增强型MOSFET
    315W
    DRAIN
    56 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    2.1m Ω @ 90A, 10V
    4V @ 250μA
    13600pF @ 50V
    193nC @ 10V
    180ns
    ±20V
    42 ns
    180A
    20V
    80V
    15.25mm
    10.4mm
    4.8mm
    ROHS3 Compliant
    无
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    STH315N10F7-6
    STMicroelectronics
    STMICROELECTRONICS STH315N10F7-6 MOSFET Transistor, N Channel, 180 A, 100 V, 0.0021 ohm, 10 V, 3.5 V
    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
    TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab)
    表面贴装
    表面贴装
    7
    SILICON
    180A Tc
    Automotive, AEC-Q101, DeepGATE™, STripFET™ VII
    Tape & Reel (TR)
    -55°C~175°C TJ
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    超低电阻
    鸥翼
    STH315
    R-PSSO-G6
    Single
    增强型MOSFET
    315W
    DRAIN
    62 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    2.3m Ω @ 60A, 10V
    4.5V @ 250μA
    12800pF @ 25V
    180nC @ 10V
    108ns
    ±20V
    40 ns
    180A
    20V
    100V
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    -
    无铅
    1.59999g
    未说明
    未说明
    1
    3.5V
    0.0023Ohm
    无SVHC
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