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首页 全部分类 STH300NH02L-6 vs IRF1324STRL-7PP

STH300NH02L-6备选型号: IRF1324STRL-7PP

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  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
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  • 包装
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  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 电阻
  • 终端形式
  • 基本部件号
  • 引脚数量
  • JESD-30代码
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 触点镀层
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 端子位置
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 资历状况
  • 配置
  • 栅源电压
  • 达到SVHC
  • STMicroelectronics
    STH300NH02L-6
    STMicroelectronics
    MOSFET N-CH 24V 180A H2PAK-6
    ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
    表面贴装
    表面贴装
    TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab)
    7
    SILICON
    1
    -55°C~175°C TJ
    Cut Tape (CT)
    Automotive, AEC-Q101, STripFET™ III
    Discontinued
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    1.2MOhm
    鸥翼
    STH300
    7
    R-PSSO-G6
    Single
    增强型MOSFET
    300W
    DRAIN
    18 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    1.2m Ω @ 80A, 10V
    1V @ 250μA
    7050pF @ 15V
    109nC @ 10V
    275ns
    ±20V
    94.4 ns
    180A
    20V
    24V
    1600 mJ
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRF1324STRL-7PP
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 24V 429A D2PAK-7
    -
    表面贴装
    表面贴装
    TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB
    7
    SILICON
    300W Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    -
    鸥翼
    -
    -
    R-PSSO-G6
    -
    增强型MOSFET
    300W
    DRAIN
    19 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    1m Ω @ 160A, 10V
    4V @ 250μA
    7700pF @ 19V
    252nC @ 10V
    240ns
    ±20V
    93 ns
    240A
    20V
    24V
    230 mJ
    -
    符合RoHS标准
    无铅
    Tin
    2010
    e3
    SINGLE
    260
    30
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    4 V
    无SVHC
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