Infineon Technologies IRF1324STRL-7PP

包装/外壳

TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB

触点镀层

Tin

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

引脚数

7

晶体管元件材料

SILICON

Power Dissipation (Max)

300W Tc

Turn Off Delay Time

86 ns

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

240A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

系列

HEXFET®

已出版

2010

包装

Tape & Reel (TR)

操作温度

-55°C~175°C TJ

JESD-609代码

e3

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

ECCN 代码

EAR99

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

JESD-30代码

R-PSSO-G6

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

300W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

19 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

1m Ω @ 160A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

7700pF @ 19V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

252nC @ 10V

上升时间

240ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

93 ns

连续放电电流(ID)

240A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏源击穿电压

24V

雪崩能量等级（Eas）

230 mJ

栅源电压

4 V

达到SVHC

无SVHC

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅