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STH310N10F7-2备选型号: STH315N10F7-2
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- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 生命周期状态
- 触点镀层
- 包装/外壳
- 安装类型
- 底架
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 系列
- 包装
- 操作温度
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 电阻
- 附加功能
- 终端形式
- 基本部件号
- JESD-30代码
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 高度
- 宽度
- 长度
- RoHS状态
- 无铅
- 质量
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 通道数量
- 阈值电压
- 达到SVHC
MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-2ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)TinTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB表面贴装表面贴装3SILICON180A TcDeepGATE™, STripFET™ VIITape & Reel (TR)-55°C~175°C TJ活跃1 (Unlimited)2EAR992.3mOhm超低电阻鸥翼STH310R-PSSO-G2Single增强型MOSFET315WDRAIN62 nsN-ChannelSWITCHING2.5m Ω @ 60A, 10V3.8V @ 250μA12800pF @ 25V180nC @ 10V108ns±20V40 ns180A20V100V720A4.8mm10.4mm15.8mmROHS3 Compliant无铅------- MOSFET, N CH, 100V, 180A, H2PAK-3ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)-TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB表面贴装表面贴装3SILICON180A TcAutomotive, AEC-Q101, DeepGATE™, STripFET™ VIITape & Reel (TR)-55°C~175°C TJ活跃1 (Unlimited)2EAR99-超低电阻鸥翼STH315R-PSSO-G2Single增强型MOSFET-DRAIN62 nsN-ChannelSWITCHING2.3m Ω @ 60A, 10V4.5V @ 250μA12800pF @ 25V180nC @ 10V108ns±20V40 ns180A20V100V720A---ROHS3 Compliant无铅3.949996g未说明未说明13.5V无SVHC
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | AUIRFS3107TRL | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 75V 230A D2PAK | 对比 |
| STH315N10F7-2 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET, N CH, 100V, 180A, H2PAK-3 | 对比 |
| IRFS7730PBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 75V 195A D2PAK | 对比 |
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