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首页 全部分类 STH310N10F7-6 vs IPB180N10S402ATMA1

STH310N10F7-6备选型号: IPB180N10S402ATMA1

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  • 基本部件号
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  • 元素配置
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  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
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  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
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  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 工厂交货时间
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 端子表面处理
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • Reach合规守则
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  • 无卤素
  • 最大双电源电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • STMicroelectronics
    STH310N10F7-6
    STMicroelectronics
    MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-2
    ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
    表面贴装
    表面贴装
    TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab)
    7
    SILICON
    180A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    DeepGATE™, STripFET™ VII
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    超低电阻
    鸥翼
    STH310
    R-PSSO-G6
    Single
    增强型MOSFET
    315W
    DRAIN
    62 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    2.5m Ω @ 60A, 10V
    3.8V @ 250μA
    12800pF @ 25V
    180nC @ 10V
    108ns
    ±20V
    40 ns
    180A
    3.5V
    20V
    120A
    0.0025Ohm
    100V
    4.8mm
    15.25mm
    10.4mm
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IPB180N10S402ATMA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 100V 180A Automotive 7-Pin(6 Tab) D2PAK T/R
    -
    表面贴装
    表面贴装
    TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab)
    -
    SILICON
    180A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    -
    鸥翼
    -
    R-PSSO-G6
    Single
    增强型MOSFET
    300W
    DRAIN
    15 ns
    N-Channel
    -
    2.5m Ω @ 100A, 10V
    3.5V @ 275μA
    14600pF @ 25V
    200nC @ 10V
    9ns
    ±20V
    40 ns
    180A
    -
    20V
    -
    0.0025Ohm
    -
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    含铅
    14 Weeks
    2013
    e3
    Tin (Sn)
    未说明
    not_compliant
    未说明
    无卤素
    100V
    720A
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