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STI13NM60N备选型号: STI14NM50N
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- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
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- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 电阻
- 基本部件号
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级（Eas）
- 高度
- 长度
- 宽度
- RoHS状态
- 辐射硬化
- 达到SVHC
- 无铅
MOSFET N-Ch 600V 0.28Ohm 11A Mdmesh II I2PAKACTIVE (Last Updated: 7 months ago)16 Weeks通孔通孔TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA3SILICON1-55°C~150°C TJTubeMDmesh™ II活跃1 (Unlimited)3EAR99360MOhmSTI13NSingle增强型MOSFET90WDRAIN3 nsN-ChannelSWITCHING360m Ω @ 5.5A, 10V4V @ 250μA790pF @ 50V30nC @ 10V8ns±25V10 ns11A3V25V600V44A200 mJ10.75mm10.4mm4.6mmROHS3 Compliant无无SVHC无铅- MOSFET N-Ch 500 V 0.28 Ohm 12 A MDmesh(TM) II--通孔通孔TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA3-12A Tc-55°C~150°C TJTubeMDmesh™ IIObsolete1 (Unlimited)---STI14NSingle-90W-10.2 nsN-Channel-320m Ω @ 6A, 10V4V @ 100μA816pF @ 50V27nC @ 10V16ns±25V22 ns12A-25V500V-----ROHS3 Compliant无--
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | IPI60R280C6XKSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA | MOSFET N-CH 600V 13.8A TO262 | 对比 |
| STI14NM50N | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA | MOSFET N-Ch 500 V 0.28 Ohm 12 A MDmesh(TM) II | 对比 |
 | STFI13NM60N | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-262-3 Full Pack, I2Pak | MOSFET N-CH 600V 11A I2PAK FP | 对比 |
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