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STI20N65M5备选型号: STFI20N65M5
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- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
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- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 基本部件号
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级（Eas）
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 接通延迟时间
- 高度
- 长度
- 宽度
MOSFET N-CH 650V 18A I2PAK17 Weeks通孔通孔TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA3SILICON18A Tc-55°C~150°C TJTubeMDmesh™ V活跃1 (Unlimited)3EAR99STI20NSingle增强型MOSFET130WDRAINN-ChannelSWITCHING190m Ω @ 9A, 10V5V @ 250μA1434pF @ 100V36nC @ 10V7.5ns±25V7.5 ns18A25V650V72A270 mJ无ROHS3 Compliant无铅----
MOSFET N CH 650V 18A I2PAKFP-通孔通孔TO-262-3 Full Pack, I2Pak3-18A Tc150°C TJTubeMDmesh™ VObsolete不适用-EAR99STFI20NSingle---N-Channel-190m Ω @ 9A, 10V5V @ 250μA1345pF @ 100V45nC @ 10V7.5ns±25V7.5 ns18A25V650V--无ROHS3 Compliant无铅43 ns10.85mm10.4mm4.6mm- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| STI21N65M5 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA | MOSFET N-channel 650 V, 0.1 50 Ohm, 17 A MDmesh | 对比 |
| STFI20N65M5 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-262-3 Full Pack, I2Pak | MOSFET N CH 650V 18A I2PAKFP | 对比 |
 | IPI60R190C6XKSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA | MOSFET 600V CoolMOSC6 Power Transistor | 对比 |
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