STFI20N65M5
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STMicroelectronics STFI20N65M5

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型号

STFI20N65M5

utmel 编号

2381-STFI20N65M5

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

TO-262-3 Full Pack, I2Pak

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

MOSFET N CH 650V 18A I2PAKFP

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STFI20N65M5
STFI20N65M5 STMicroelectronics MOSFET N CH 650V 18A I2PAKFP

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STFI20N65M5详情

STMicroelectronics STFI20N65M5重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 底架

    通孔

  • 安装类型

    通孔

  • 包装/外壳

    TO-262-3 Full Pack, I2Pak

  • 引脚数

    3

  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

    18A Tc

  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

    10V

  • Power Dissipation (Max)

    130W Tc

  • Turn Off Delay Time

    11.5 ns

  • 操作温度

    150°C TJ

  • 包装

    Tube

  • 系列

    MDmesh™ V

  • 零件状态

    Obsolete

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    不适用

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 基本部件号

    STFI20N

  • 元素配置

    Single

  • 接通延迟时间

    43 ns

  • 场效应管类型

    N-Channel

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    190m Ω @ 9A, 10V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    5V @ 250μA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    1345pF @ 100V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    45nC @ 10V

  • 上升时间

    7.5ns

  • Vgs(最大值)

    ±25V

  • 下降时间(典型值)

    7.5 ns

  • 连续放电电流(ID)

    18A

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    25V

  • 漏源击穿电压

    650V

  • 高度

    10.85mm

  • 长度

    10.4mm

  • 宽度

    4.6mm

  • 辐射硬化

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

  • 无铅

    无铅

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右边的3个型号有着和STMicroelectronics & STFI20N65M5相似的参数规格。

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