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STI55NF03L备选型号: IPI147N12N3GAKSA1
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- 包装/外壳
- 晶体管元件材料
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- 包装
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- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子位置
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 连续放电电流(ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- DS 击穿电压-最小值
- 雪崩能量等级（Eas）
- RoHS状态
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 端子表面处理
- Reach合规守则
- 资历状况
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 无卤素
- 上升时间
- 下降时间（典型值）
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大双电源电压
- 无铅
MOSFET N-CH 30V 55A I2PAKACTIVE (Last Updated: 7 months ago)12 Weeks通孔通孔TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AASILICON55A Tc-60°C~175°C TJTubeSTripFET™ II活跃1 (Unlimited)3EAR99SINGLE未说明未说明STI55N3R-PSIP-T3SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETDRAINN-ChannelSWITCHING13m Ω @ 27.5A, 10V2.5V @ 250μA1265pF @ 25V27nC @ 4.5V30V±16V55A0.02Ohm220A30V120 mJROHS3 Compliant--------------
Trans MOSFET N-CH 120V 56A 3-Pin(3 Tab) TO-262-12 Weeks通孔通孔TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AASILICON56A Ta-55°C~175°C TJTubeOptiMOS™不用于新设计1 (Unlimited)3EAR99SINGLE未说明未说明-3R-PSIP-T3SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFET-N-ChannelSWITCHING14.7m Ω @ 56A, 10V4V @ 61μA3220pF @ 60V49nC @ 10V-±20V56A-224A-90 mJROHS3 Compliant2008e3noTin (Sn)not_compliant不合格107W16 ns无卤素9ns4 ns20V120V含铅- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IPI147N12N3GAKSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA | Trans MOSFET N-CH 120V 56A 3-Pin(3 Tab) TO-262 | 对比 |
| IPI70N10S3L12AKSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA | MOSFET N-CH 100V 70A TO262-3 | 对比 |
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