STK800备选型号: FDMS7700S
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 终端
- ECCN 代码
- 电阻
- 端子表面处理
- 电压 - 额定直流
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- Reach合规守则
- 额定电流
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 资历状况
- 配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 双电源电压
- 栅源电压
- 达到SVHC
- RoHS状态
- 无铅
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 质量
- 无铅代码
- 最大功率耗散
- 通道数量
- 元素配置
- 场效应管技术
- 最大结点温度(Tj)
- 场效应管特性
- 高度
- 长度
- 宽度
- 辐射硬化
- MOSFET, N CH, 30V, 20A, POLARPAK表面贴装表面贴装PolarPak®10SILICON20A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)STripFET™e3Obsolete1 (Unlimited)4SMD/SMTEAR997.8mOhmMatte Tin (Sn) - annealed30VDUAL无铅260not_compliant20A40STK810R-XDSO-N4不合格SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFET5.2WSOURCEN-ChannelSWITCHING7.8m Ω @ 10A, 10V2.5V @ 250μA1380pF @ 25V13.4nC @ 4.5V50ns±16V15 ns20A2.5V16V30V80A30V2.5 V无SVHCROHS3 Compliant无铅--------------
- Trans MOSFET N-CH 30V 12A/22A 8-Pin Power 56 T/R表面贴装表面贴装8-PowerWDFN8SILICON12A 22A-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)PowerTrench®e4活跃1 (Unlimited)6-EAR997.5MOhmNickel/Palladium/Gold/Silver (Ni/Pd/Au/Ag)---------R-PDSO-N6--增强型MOSFET1W-2 N-Channel (Dual)SWITCHING7.5m Ω @ 12A, 10V3V @ 250μA1750pF @ 15V28nC @ 10V9.2ns-6.8 ns30A1V20V30V40A-1.8 V无SVHCROHS3 Compliant无铅ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)16 Weeks211mgyes1W2DualMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR150°C逻辑电平门800μm5mm6mm无
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| FDMS7700S | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 | 8-PowerWDFN | Trans MOSFET N-CH 30V 12A/22A 8-Pin Power 56 T/R | 对比 | |
![]() | IRFHM8330TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-PowerTDFN | MOSFET N-CH 30V 16A 8PQFN | 对比 |




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