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首页 全部分类 STK800 vs IRFHM8330TRPBF

STK800备选型号: IRFHM8330TRPBF

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  • RoHS状态
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  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 辐射硬化
  • STMicroelectronics
    STK800
    STMicroelectronics
    MOSFET, N CH, 30V, 20A, POLARPAK
    表面贴装
    表面贴装
    PolarPak®
    10
    SILICON
    20A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    STripFET™
    e3
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    4
    SMD/SMT
    EAR99
    7.8mOhm
    Matte Tin (Sn) - annealed
    30V
    DUAL
    无铅
    260
    not_compliant
    20A
    40
    STK8
    10
    R-XDSO-N4
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    5.2W
    SOURCE
    N-Channel
    SWITCHING
    7.8m Ω @ 10A, 10V
    2.5V @ 250μA
    1380pF @ 25V
    13.4nC @ 4.5V
    50ns
    ±16V
    15 ns
    20A
    2.5V
    16V
    30V
    80A
    30V
    2.5 V
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRFHM8330TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 16A 8PQFN
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    SILICON
    16A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    5
    -
    EAR99
    -
    -
    -
    DUAL
    FLAT
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    S-PDSO-F5
    -
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    2.7W
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    6.6m Ω @ 20A, 10V
    2.35V @ 25μA
    1450pF @ 25V
    20nC @ 10V
    15ns
    ±20V
    5.7 ns
    16A
    1.8V
    20V
    30V
    -
    -
    -
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    17 Weeks
    2013
    1
    9.2 ns
    55A
    0.0066Ohm
    42 mJ
    无
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