您好，欢迎来到优特美尔 登录 注册有礼
我的订单 会员中心
订单状态 询价历史 我的收藏 地址管理
QQ在线咨询 电话0755-83328606
DEGSON海康连接器端子储存器硬盘闪存卡
IC分立半导体传感器
询价列表
购物车
0
首页 产品目录表 品牌库 BOM配单 行业资讯 资质认证 关于我们 联系我们
首页 全部分类 STL100N10F7 vs IRFH5010TRPBF

STL100N10F7备选型号: IRFH5010TRPBF

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 生命周期状态
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • JESD-609代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 基本部件号
  • JESD-30代码
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 已出版
  • 电阻
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 阈值电压
  • 漏源击穿电压
  • 栅源电压
  • 达到SVHC
  • STMicroelectronics
    STL100N10F7
    STMicroelectronics
    MOSFET N-CH 100V 80A PWRFLT5X6
    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
    13 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerVDFN
    8
    SILICON
    80A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    DeepGATE™, STripFET™ VII
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    超低电阻
    DUAL
    FLAT
    260
    STL100
    R-PDSO-F5
    Single
    增强型MOSFET
    100W
    DRAIN
    27 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    7.3m Ω @ 19A, 10V
    4V @ 250μA
    5680pF @ 50V
    80nC @ 10V
    40ns
    100V
    ±20V
    15 ns
    80A
    20V
    70A
    0.0073Ohm
    76A
    400 mJ
    950μm
    5.4mm
    6.35mm
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRFH5010TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 100V 13A 8-PQFN
    -
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerVDFN
    8
    SILICON
    13A Ta 100A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    -
    DUAL
    -
    260
    -
    R-PDSO-N5
    Single
    增强型MOSFET
    250W
    DRAIN
    9 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    9m Ω @ 50A, 10V
    4V @ 150μA
    4340pF @ 25V
    98nC @ 10V
    12ns
    -
    ±20V
    8.6 ns
    100A
    20V
    -
    -
    400A
    227 mJ
    838.2μm
    5.9944mm
    5.0038mm
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    2011
    9MOhm
    30
    2V
    100V
    2 V
    无SVHC
  • 添加型号
分立半导体产品相关产品
图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
NDBA100N10BT4H NDBA100N10BT4H ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB MOSFET N-CH 100V 100A DPAK 对比
BSC070N10NS3GATMA1 BSC070N10NS3GATMA1 Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 8-PowerTDFN Trans MOSFET N-CH 100V 90A 8-Pin TDSON EP 对比
IRFH5010TRPBF IRFH5010TRPBF Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 8-PowerVDFN MOSFET N-CH 100V 13A 8-PQFN 对比