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首页 全部分类 STL100N10F7 vs NDBA100N10BT4H

STL100N10F7备选型号: NDBA100N10BT4H

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  • 场效应管类型
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  • Rds On(Max)@Id,Vgs
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  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
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  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
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  • 宽度
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 已出版
  • 无铅代码
  • STMicroelectronics
    STL100N10F7
    STMicroelectronics
    MOSFET N-CH 100V 80A PWRFLT5X6
    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
    13 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerVDFN
    8
    SILICON
    80A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    DeepGATE™, STripFET™ VII
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    超低电阻
    DUAL
    FLAT
    260
    STL100
    R-PDSO-F5
    Single
    增强型MOSFET
    100W
    DRAIN
    27 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    7.3m Ω @ 19A, 10V
    4V @ 250μA
    5680pF @ 50V
    80nC @ 10V
    40ns
    100V
    ±20V
    15 ns
    80A
    20V
    70A
    0.0073Ohm
    76A
    400 mJ
    950μm
    5.4mm
    6.35mm
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
  • ON Semiconductor
    NDBA100N10BT4H
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 100V 100A DPAK
    -
    4 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    3
    -
    100A Ta
    175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    -
    e3
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    EAR99
    Tin (Sn)
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    40 ns
    N-Channel
    -
    6.9m Ω @ 50A, 15V
    4V @ 1mA
    2950pF @ 50V
    35nC @ 10V
    385ns
    100V
    ±20V
    52 ns
    100A
    20V
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    符合RoHS标准
    无铅
    2011
    yes
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