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STL105NS3LLH7备选型号: STL110NS3LLH7

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  • 栅极至源极电压(Vgs)
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  • 晶体管元件材料
  • 终止次数
  • 端子位置
  • 终端形式
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  • 配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 晶体管应用
  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • DS 击穿电压-最小值
  • STMicroelectronics
    STL105NS3LLH7
    STMicroelectronics
    Trans MOSFET N-CH 30V 105A 8-Pin Power Flat T/R
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerVDFN
    8
    105A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Cut Tape (CT)
    DeepGATE™, STripFET™ VII
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    EAR99
    未说明
    未说明
    STL105
    62.5W
    N-Channel
    3.9m Ω @ 13.5A, 10V
    1.2V @ 1mA (Min)
    2110pF @ 25V
    13.7nC @ 4.5V
    30V
    ±20V
    105A
    20V
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    STL110NS3LLH7
    STMicroelectronics
    MOSFET N-CH 30V 120A POWERFLAT
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerVDFN
    8
    4W Ta 75W Tc
    -55°C~150°C TJ
    Cut Tape (CT)
    STripFET™ H7
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    EAR99
    未说明
    未说明
    STL110
    -
    N-Channel
    3.4m Ω @ 14A, 10V
    2.3V @ 1mA
    2110pF @ 25V
    13.7nC @ 4.5V
    30V
    ±20V
    120A
    20V
    ROHS3 Compliant
    -
    Tin
    SILICON
    5
    DUAL
    FLAT
    R-PDSO-F5
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    26.4 ns
    SWITCHING
    10.4ns
    12.5 ns
    0.005Ohm
    30V
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