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STL11N65M5备选型号: IPD65R380C6BTMA1
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- 工厂交货时间
- 包装/外壳
- 安装类型
- 底架
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 系列
- 包装
- 操作温度
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- JESD-30代码
- 配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 连续放电电流(ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- DS 击穿电压-最小值
- 雪崩能量等级（Eas）
- RoHS状态
- 无铅
- 表面安装
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 端子表面处理
- Reach合规守则
- 引脚数量
- 资历状况
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
MOSFET N-CH 650V 9A POWERFLAT12 Weeks8-PowerVDFN表面贴装表面贴装8SILICON70W TcMDmesh™Tape & Reel (TR)-55°C~150°C TJ活跃1 (Unlimited)5EAR99QUADFLAT未说明未说明STL11S-XQFP-F5SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETDRAINN-ChannelSWITCHING530m Ω @ 4.25A, 10V5V @ 250μA644pF @ 100V17nC @ 10V650V±25V8.5A0.53Ohm34A650V130 mJROHS3 Compliant无铅---------
MOSFET N-CH 650V 10.6A TO252-326 WeeksTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63表面贴装--SILICON83W TcCoolMOS™Tape & Reel (TR)-55°C~150°C TJ不用于新设计1 (Unlimited)2EAR99SINGLE鸥翼未说明未说明-R-PSSO-G2SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETDRAINN-ChannelSWITCHING380m Ω @ 3.2A, 10V3.5V @ 320μA710pF @ 100V39nC @ 10V650V±20V-0.38Ohm29A650V215 mJROHS3 Compliant-YES2008e3noTin (Sn)not_compliant4不合格10.6A- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IPD65R380C6BTMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-CH 650V 10.6A TO252-3 | 对比 |
| IPD65R380E6ATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | Trans MOSFET N-CH 700V 10.6A Automotive 3-Pin(2 Tab) DPAK T/R | 对比 |
 | STB11N65M5 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N CH 650V 9A D2PAK | 对比 |
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