STMicroelectronics STL11N65M5

工厂交货时间

12 Weeks

包装/外壳

8-PowerVDFN

安装类型

表面贴装

底架

表面贴装

引脚数

8

晶体管元件材料

SILICON

Power Dissipation (Max)

70W Tc

Number of Elements

1

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

8.5A Tc

系列

MDmesh™

包装

Tape & Reel (TR)

操作温度

-55°C~150°C TJ

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

5

ECCN 代码

EAR99

端子位置

QUAD

终端形式

FLAT

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

基本部件号

STL11

JESD-30代码

S-XQFP-F5

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

530m Ω @ 4.25A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

5V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

644pF @ 100V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

17nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

650V

Vgs（最大值）

±25V

连续放电电流(ID)

8.5A

漏极-源极导通最大电阻

0.53Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

34A

DS 击穿电压-最小值

650V

雪崩能量等级（Eas）

130 mJ

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅