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STL12P6F6备选型号: BSP320SH6327XTSA1
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- 零件状态
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- ECCN 代码
- 基本部件号
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 触点镀层
- 晶体管元件材料
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 终止次数
- 附加功能
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
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- 引脚数量
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 无卤素
- 阈值电压
- 最大双电源电压
- 雪崩能量等级（Eas）
- 恢复时间
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 无铅
MOSFET P-CH 60V 4A 8POWERFLATACTIVE (Last Updated: 8 months ago)20 Weeks表面贴装表面贴装8-PowerVDFN84A Tc-55°C~175°C TJCut Tape (CT)DeepGATE™, STripFET™ VI活跃1 (Unlimited)EAR99STL126.4 nsP-Channel160m Ω @ 1.5A, 10V4V @ 250μA340pF @ 48V6.4nC @ 10V5.3ns60V±20V3.7 ns4A20V-60V无ROHS3 Compliant-------------------------
Trans MOSFET N-CH 60V 2.9A Automotive 4-Pin(3 Tab) SOT-223 T/R-10 Weeks表面贴装表面贴装TO-261-4, TO-261AA42.9A Tj-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)SIPMOS™活跃1 (Unlimited)EAR99-11 nsN-Channel120m Ω @ 2.9A, 10V4V @ 20μA340pF @ 25V12nC @ 10V25ns-±20V35 ns2.9A20V--ROHS3 CompliantTinSILICON2007e3yes4雪崩 额定DUAL鸥翼未说明未说明4Single增强型MOSFET1.8W无卤素3V60V60 mJ56 ns1.6mm6.5mm3.5mm无SVHC无铅- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| BSP320SH6327XTSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-261-4, TO-261AA | Trans MOSFET N-CH 60V 2.9A Automotive 4-Pin(3 Tab) SOT-223 T/R | 对比 |
 | ZXMN6A11GTA | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-261-4, TO-261AA | MOSFET 60V N-Chnl UMOS | 对比 |
 | PCP1403-TD-H | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-243AA | N-Channel 60 V 117 mOhm Surface Mount Power Mosfet - SOT-89 | 对比 |
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