STMicroelectronics STL12P6F6
- 收藏
- 对比
STL12P6F6
2381-STL12P6F6
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
8-PowerVDFN
大陆
立即发货

MOSFET P-CH 60V 4A 8POWERFLAT
--最小包装量--
STL12P6F6详情
STMicroelectronics STL12P6F6重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
工厂交货时间
20 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-PowerVDFN
引脚数
8
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
4A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Power Dissipation (Max)
75W Tc
Turn Off Delay Time
14 ns
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Cut Tape (CT)
系列
DeepGATE™, STripFET™ VI
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
ECCN 代码
EAR99
基本部件号
STL12
接通延迟时间
6.4 ns
场效应管类型
P-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
160m Ω @ 1.5A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
340pF @ 48V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
6.4nC @ 10V
上升时间
5.3ns
漏源电压 (Vdss)
60V
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
3.7 ns
连续放电电流(ID)
4A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
-60V
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
STL12P6F6拓展信息
STMicroelectronics
STMicroelectronics
STMicroelectronics
STMicroelectronics
STMicroelectronics
STMicroelectronics
STMicroelectronics
STMicroelectronics
STMicroelectronics
STMicroelectronics











哦! 它是空的。