STL13N65M2备选型号: IPD65R600C6BTMA1
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- 工厂交货时间
- 生命周期状态
- 包装/外壳
- 安装类型
- 底架
- 引脚数
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- 包装
- 操作温度
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- ECCN 代码
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 元素配置
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 宽度
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- 高度
- RoHS状态
- 晶体管元件材料
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 终止次数
- 端子表面处理
- 端子位置
- 终端形式
- Reach合规守则
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 资历状况
- 配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 晶体管应用
- 上升时间
- 下降时间(典型值)
- 最大双电源电压
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级(Eas)
- MOSFET N-CH 650V 6.5A POWERFLAT26 WeeksACTIVE (Last Updated: 7 months ago)8-PowerVDFN表面贴装表面贴装838 nsMDmesh™ M2Cut Tape (CT)-55°C~150°C TJ活跃1 (Unlimited)EAR99未说明未说明STL13Single11 nsN-Channel475m Ω @ 3A, 10V4V @ 250μA590pF @ 100V17nC @ 10V650V±25V6.5A25V5.4mm6.35mm950μmROHS3 Compliant----------------------
- Trans MOSFET N-CH 700V 7.3A 3-Pin(2 Tab) TO-25218 Weeks-TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63表面贴装表面贴装37.3A TcCoolMOS™Tape & Reel (TR)-55°C~150°C TJ最后一次购买1 (Unlimited)-未说明未说明--12 nsN-Channel600m Ω @ 2.1A, 10V3.5V @ 210μA440pF @ 100V23nC @ 10V-±20V7.3A20V---ROHS3 CompliantSILICON2008e3no2Tin (Sn)SINGLE鸥翼not_compliant4R-PSSO-G2不合格SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETDRAINSWITCHING9ns13 ns650V0.6Ohm18A142 mJ
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IPD65R600C6BTMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | Trans MOSFET N-CH 700V 7.3A 3-Pin(2 Tab) TO-252 | 对比 |
![]() | STD8N65M5 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-Ch 650V 0.56 Ohm MDmesh V 7A 710VDss | 对比 |
![]() | STL18N65M2 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-PowerVDFN | MOSFET N-CH 650V 8A POWERFLAT | 对比 |





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