STMicroelectronics STL18N65M2
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STL18N65M2
2381-STL18N65M2
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
8-PowerVDFN
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MOSFET N-CH 650V 8A POWERFLAT
--最小包装量--
STL18N65M2详情
STMicroelectronics STL18N65M2重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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工厂交货时间
26 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-PowerVDFN
引脚数
8
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
8A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Power Dissipation (Max)
57W Tc
Turn Off Delay Time
46 ns
操作温度
150°C TJ
包装
Cut Tape (CT)
系列
MDmesh™ M2
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
ECCN 代码
EAR99
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
基本部件号
STL18
元素配置
Single
接通延迟时间
11 ns
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
365m Ω @ 4A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
764pF @ 100V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
21.5nC @ 10V
漏源电压 (Vdss)
650V
Vgs(最大值)
±25V
连续放电电流(ID)
8A
栅极至源极电压(Vgs)
25V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
8A
高度
950μm
长度
6.35mm
宽度
5.4mm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
STL18N65M2拓展信息
STMicroelectronics
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