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首页 全部分类 STL160N3LLH6 vs IRF6618TRPBF

STL160N3LLH6备选型号: IRF6618TRPBF

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  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 已出版
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  • 端子表面处理
  • 电压 - 额定直流
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 额定电流
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • JESD-30代码
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • STMicroelectronics
    STL160N3LLH6
    STMicroelectronics
    MOSFET N-Ch 30V 0.0011 Ohm 35A STripFET VI
    ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
    20 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerVDFN
    5
    SILICON
    160A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    DeepGATE™, STripFET™ VI
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    1.3MOhm
    ULTRA-LOW RESISTANCE
    DUAL
    STL160
    8
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    80W
    DRAIN
    18.5 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    1.3m Ω @ 17.5A, 10V
    1V @ 250μA
    6375pF @ 25V
    61.5nC @ 4.5V
    32ns
    ±20V
    54 ns
    160A
    1V
    20V
    30V
    900 mJ
    880μm
    4.75mm
    5.75mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRF6618TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 30A DIRECTFET
    -
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    DirectFET™ Isometric MT
    5
    SILICON
    30A Ta 170A Tc
    -40°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    2.2MOhm
    -
    BOTTOM
    -
    -
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    89W
    DRAIN
    21 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    2.2m Ω @ 30A, 10V
    2.35V @ 250μA
    5640pF @ 15V
    65nC @ 4.5V
    71ns
    ±20V
    8.1 ns
    170mA
    1.64V
    20V
    30V
    -
    508μm
    6.35mm
    5.0546mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    2007
    e1
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    30V
    260
    30A
    30
    R-XBCC-N3
    29A
    240A
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