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首页 全部分类 STL160N3LLH6 vs IRF6717MTR1PBF

STL160N3LLH6备选型号: IRF6717MTR1PBF

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  • 双电源电压
  • 恢复时间
  • 栅源电压
  • STMicroelectronics
    STL160N3LLH6
    STMicroelectronics
    MOSFET N-Ch 30V 0.0011 Ohm 35A STripFET VI
    20 Weeks
    8-PowerVDFN
    表面贴装
    表面贴装
    8
    SILICON
    107.5 ns
    1V @ 250μA
    DeepGATE™, STripFET™ VI
    Tape & Reel (TR)
    -55°C~175°C TJ
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    1.3MOhm
    ULTRA-LOW RESISTANCE
    DUAL
    STL160
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    80W
    DRAIN
    18.5 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    1.3m Ω @ 17.5A, 10V
    6375pF @ 25V
    61.5nC @ 4.5V
    32ns
    ±20V
    54 ns
    160A
    1V
    20V
    30V
    900 mJ
    880μm
    5.75mm
    4.75mm
    ROHS3 Compliant
    无
    无SVHC
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRF6717MTR1PBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 25V 38A DIRECTFET
    12 Weeks
    DirectFET™ Isometric MX
    表面贴装
    表面贴装
    7
    SILICON
    38A Ta 200A Tc
    2.35V @ 150μA
    HEXFET®
    Tape & Reel (TR)
    -40°C~150°C TJ
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    1.25MOhm
    -
    BOTTOM
    -
    -
    增强型MOSFET
    96W
    DRAIN
    25 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    1.25m Ω @ 38A, 10V
    6750pF @ 13V
    69nC @ 4.5V
    37ns
    ±20V
    15 ns
    38A
    1.8V
    20V
    25V
    290 mJ
    533.4μm
    5.05mm
    5.45mm
    符合RoHS标准
    无
    无SVHC
    无铅
    2009
    e3
    SMD/SMT
    哑光锡
    260
    40
    R-XBCC-N3
    Single
    300A
    25V
    41 ns
    1.8 V
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