STL35N15F3备选型号: IRF6643TRPBF
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- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 电阻
- 端子位置
- 基本部件号
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏源击穿电压
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 工厂交货时间
- 已出版
- JESD-609代码
- 端子表面处理
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 阈值电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- MOSFET N-CH 150V 33A POWERFLAT56表面贴装表面贴装8-PowerVDFN8SILICON33A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)STripFET™ IIIObsolete1 (Unlimited)5EAR9940MOhmDUALSTL358R-PDSO-N5SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFET80WDRAIN14 nsN-ChannelSWITCHING40m Ω @ 3.5A, 10V4V @ 250μA1905pF @ 25V49.4nC @ 10V11ns±20V20 ns33A20V7A150V无ROHS3 Compliant无铅-----------
- MOSFET N-CH 150V 6.2A DIRECTFET表面贴装表面贴装DirectFET™ Isometric MZ5SILICON6.2A Ta 35A Tc-40°C~150°C TJTape & Reel (TR)HEXFET®活跃1 (Unlimited)3EAR99-BOTTOM--R-XBCC-N3SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFET89WDRAIN9.2 nsN-ChannelSWITCHING34.5m Ω @ 7.6A, 10V4.9V @ 150μA2340pF @ 25V55nC @ 10V5ns±20V4.4 ns6.2A20V-150V无ROHS3 Compliant无铅12 Weeks2006e1Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)2604V76A508μm6.35mm5.0546mm无SVHC
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IRF6643TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | DirectFET™ Isometric MZ | MOSFET N-CH 150V 6.2A DIRECTFET | 对比 |
![]() | FDB2552-F085 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-Chan PowerTrench MOSFET | 对比 |





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