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STL36N55M5备选型号: STB36NM60ND
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- 湿度敏感性等级(MSL)
- ECCN 代码
- 电阻
- 基本部件号
- 元素配置
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- JESD-609代码
- 端子表面处理
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- Reach合规守则
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 通道数量
- 漏源电压 (Vdss)
MOSFET N-Ch 550V 0.066Ohm 31A MDmesh VACTIVE (Last Updated: 8 months ago)12 Weeks表面贴装表面贴装8-PowerVDFN422.5A Tc150°C TJCut Tape (CT)MDmesh™ V活跃3 (168 Hours)EAR9990mOhmSTL36Single150W56 nsN-Channel90m Ω @ 16.5A, 10V5V @ 250μA2670pF @ 100V62nC @ 10V13ns±25V13 ns22.5A25V550V950μm8mm8mm无ROHS3 Compliant无铅-------
MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK-26 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB329A Tc150°C TJCut Tape (CT)Automotive, AEC-Q101, FDmesh™ II活跃1 (Unlimited)EAR99110mOhmSTB36NSingle190W30 nsN-Channel110m Ω @ 14.5A, 10V5V @ 250μA2785pF @ 50V80.4nC @ 10V53.4ns±25V61.8 ns29A25V650V4.6mm10.4mm9.35mm-ROHS3 Compliant无铅e3Matte Tin (Sn) - annealed未说明not_compliant未说明1600V- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| STB34N65M5 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 650V 28A D2PAK | 对比 |
| STB36NM60ND | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK | 对比 |
 | STB30NM50N | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 500V 27A D2PAK | 对比 |
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