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首页 全部分类 STL3N10F7 vs FDM3622

STL3N10F7备选型号: FDM3622

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  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 基本部件号
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  • 元素配置
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
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  • 上升时间
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  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • RoHS状态
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  • 工厂交货时间
  • 触点镀层
  • 质量
  • 晶体管元件材料
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 终止次数
  • 端子表面处理
  • 电压 - 额定直流
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 额定电流
  • JESD-30代码
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 晶体管应用
  • 阈值电压
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • STMicroelectronics
    STL3N10F7
    STMicroelectronics
    MOSFET POWER MOSFET
    ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
    表面贴装
    表面贴装
    6-PowerWDFN
    6
    4A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Cut Tape (CT)
    DeepGATE™, STripFET™ VII
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    62mOhm
    未说明
    未说明
    STL3
    1
    Single
    6.3 ns
    N-Channel
    70m Ω @ 2A, 10V
    4.5V @ 250μA
    408pF @ 25V
    7.8nC @ 10V
    3ns
    ±20V
    4 ns
    4A
    20V
    100V
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDM3622
    ON Semiconductor
    Trans MOSFET N-CH 100V 4.4A 8-Pin MicroFET T/R
    ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerWDFN
    8
    4.4A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    -
    -
    -
    -
    -
    Single
    11 ns
    N-Channel
    60m Ω @ 4.4A, 10V
    4V @ 250μA
    1090pF @ 25V
    17nC @ 10V
    25ns
    ±20V
    26 ns
    4.4A
    20V
    100V
    ROHS3 Compliant
    无铅
    10 Weeks
    Tin
    210mg
    SILICON
    e4
    yes
    5
    Nickel/Palladium/Gold/Silver (Ni/Pd/Au/Ag)
    100V
    DUAL
    FLAT
    4.4A
    S-PDSO-F5
    增强型MOSFET
    2.1W
    DRAIN
    SWITCHING
    4V
    0.06Ohm
    950μm
    3mm
    2mm
    无SVHC
    无
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