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首页 全部分类 STL3N10F7 vs FDMS8622

STL3N10F7备选型号: FDMS8622

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  • 工厂交货时间
  • 质量
  • 晶体管元件材料
  • 已出版
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  • 无铅代码
  • 终止次数
  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • 端子位置
  • JESD-30代码
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 晶体管应用
  • JEDEC-95代码
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • STMicroelectronics
    STL3N10F7
    STMicroelectronics
    MOSFET POWER MOSFET
    ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
    表面贴装
    表面贴装
    6-PowerWDFN
    6
    4A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Cut Tape (CT)
    DeepGATE™, STripFET™ VII
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    62mOhm
    未说明
    未说明
    STL3
    1
    Single
    6.3 ns
    N-Channel
    70m Ω @ 2A, 10V
    4.5V @ 250μA
    408pF @ 25V
    7.8nC @ 10V
    3ns
    ±20V
    4 ns
    4A
    20V
    100V
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDMS8622
    ON Semiconductor
    N-Channel Power Trench® MOSFET 100V, 16.5A, 56mO
    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    4.8A Ta 16.5A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    -
    -
    -
    -
    -
    Single
    5.7 ns
    N-Channel
    56m Ω @ 4.8A, 10V
    4V @ 250μA
    400pF @ 50V
    7nC @ 10V
    1.7ns
    ±20V
    2.1 ns
    4.8A
    20V
    100V
    ROHS3 Compliant
    -
    8 Weeks
    74mg
    SILICON
    2010
    e3
    yes
    5
    Tin (Sn)
    ULTRA-LOW RESISTANCE
    DUAL
    R-PDSO-N5
    增强型MOSFET
    2.5W
    DRAIN
    SWITCHING
    MO-240AA
    0.056Ohm
    30A
    1.05mm
    5mm
    6mm
    无
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