您好，欢迎来到优特美尔 登录 注册有礼
我的订单 会员中心
订单状态 询价历史 我的收藏 地址管理
QQ在线咨询 电话0755-83328606
DEGSON海康连接器端子储存器硬盘闪存卡
IC分立半导体传感器
询价列表
购物车
0
首页 产品目录表 品牌库 BOM配单 行业资讯 资质认证 关于我们 联系我们
首页 全部分类 STL40N10F7 vs IRF6662TRPBF

STL40N10F7备选型号: IRF6662TRPBF

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 生命周期状态
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • ECCN 代码
  • 电阻
  • 基本部件号
  • 通道数量
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 长度
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 晶体管元件材料
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 终止次数
  • 端子表面处理
  • 电压 - 额定直流
  • 端子位置
  • 额定电流
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 晶体管应用
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 高度
  • 宽度
  • STMicroelectronics
    STL40N10F7
    STMicroelectronics
    MOSFET N-CH 100V 0.020Ohm 10A STripFET VII
    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
    13 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerVDFN
    8
    40A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    DeepGATE™, STripFET™ VII
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    24mOhm
    STL40
    1
    70W
    12 ns
    N-Channel
    24m Ω @ 10A, 10V
    4.5V @ 250μA
    1270pF @ 50V
    19nC @ 10V
    17.5ns
    ±20V
    5.6 ns
    40A
    20V
    100V
    5.4mm
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRF6662TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 100V 8.3A DIRECTFET
    -
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    DirectFET™ Isometric MZ
    7
    8.3A Ta 47A Tc
    -40°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    31MOhm
    -
    -
    89W
    11 ns
    N-Channel
    22m Ω @ 8.2A, 10V
    4.9V @ 100μA
    1360pF @ 25V
    31nC @ 10V
    7.5ns
    ±20V
    5.9 ns
    6.6A
    20V
    100V
    6.35mm
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    SILICON
    2006
    e1
    3
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    100V
    BOTTOM
    8.3A
    R-XBCC-N3
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    SWITCHING
    66A
    39 mJ
    506μm
    5.05mm
  • 添加型号
分立半导体产品相关产品
图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
IRFH5053TRPBF IRFH5053TRPBF Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 8-PowerVDFN MOSFET N-CH 100V 9.3A PQFN56 对比
BSC196N10NSGATMA1 BSC196N10NSGATMA1 Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 8-PowerTDFN Trans MOSFET N-CH 100V 8.5A 8-Pin TDSON EP 对比
STD45N10F7 STD45N10F7 STMicroelectronics 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 MOSFET N-CH 100V 45A DPAK 对比