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首页 全部分类 STL40N10F7 vs BSC196N10NSGATMA1

STL40N10F7备选型号: BSC196N10NSGATMA1

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  • 端子位置
  • 终端形式
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  • 引脚数量
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  • 资历状况
  • 配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 晶体管应用
  • 无卤素
  • 阈值电压
  • 最大双电源电压
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 达到SVHC
  • STMicroelectronics
    STL40N10F7
    STMicroelectronics
    MOSFET N-CH 100V 0.020Ohm 10A STripFET VII
    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
    13 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerVDFN
    8
    40A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    DeepGATE™, STripFET™ VII
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    24mOhm
    STL40
    1
    70W
    12 ns
    N-Channel
    24m Ω @ 10A, 10V
    4.5V @ 250μA
    1270pF @ 50V
    19nC @ 10V
    17.5ns
    ±20V
    5.6 ns
    40A
    20V
    100V
    5.4mm
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    BSC196N10NSGATMA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 100V 8.5A 8-Pin TDSON EP
    -
    26 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    8.5A Ta 45A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    OptiMOS™
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    -
    -
    -
    78W
    -
    N-Channel
    19.6m Ω @ 45A, 10V
    4V @ 42μA
    2300pF @ 50V
    34nC @ 10V
    22ns
    ±20V
    -
    45A
    20V
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    含铅
    Tin
    SILICON
    2011
    e3
    no
    5
    DUAL
    FLAT
    未说明
    not_compliant
    未说明
    8
    R-PDSO-F5
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    SWITCHING
    无卤素
    3V
    100V
    60 mJ
    无SVHC
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