STMicroelectronics STD45N10F7
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STD45N10F7
2381-STD45N10F7
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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MOSFET N-CH 100V 45A DPAK
--最小包装量--
STD45N10F7详情
STMicroelectronics STD45N10F7重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
工厂交货时间
52 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
引脚数
3
质量
3.949996g
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
45A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
60W Tc
Turn Off Delay Time
24 ns
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
DeepGATE™, STripFET™ VII
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
2
ECCN 代码
EAR99
终端形式
鸥翼
基本部件号
STD45
JESD-30代码
R-PSSO-G2
通道数量
1
元素配置
Single
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
15 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
18m Ω @ 22.5A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4.5V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1640pF @ 50V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
25nC @ 10V
上升时间
17ns
下降时间(典型值)
8 ns
连续放电电流(ID)
45A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
100V
高度
2.4mm
长度
6.6mm
宽度
6.2mm
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
STD45N10F7拓展信息
STMicroelectronics
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