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STL45N65M5备选型号: IPL65R099C7AUMA1
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- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
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- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
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- 下降时间（典型值）
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- 长度
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- RoHS状态
- 晶体管元件材料
- 已出版
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- 终端形式
- Reach合规守则
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- 配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 晶体管应用
- 无卤素
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- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级（Eas）
- 无铅
MOSFET N-CH 650V 22.5A 4PWRFLAT12 Weeks表面贴装表面贴装8-PowerVDFN43.8A Ta 22.5A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)MDmesh™ Ve3活跃3 (168 Hours)EAR99Matte Tin (Sn)260STL45Single2.8W79.5 nsN-Channel86m Ω @ 14.5A, 10V5V @ 250μA3470pF @ 100V82nC @ 10V11ns650V±25V9.3 ns22.5A25V950μm8mm8mm无ROHS3 Compliant------------------
MOSFET N-CH 4VSON18 Weeks表面贴装表面贴装4-PowerTSFN421A Tc-40°C~150°C TJTape & Reel (TR)CoolMOS™ C7e3活跃2A (4 Weeks)EAR99Tin (Sn)未说明---11 nsN-Channel99m Ω @ 5.9A, 10V4V @ 590μA2140pF @ 400V45nC @ 10V5ns-±20V12 ns21A20V----ROHS3 CompliantSILICON2013yes4SINGLE无铅not_compliant未说明SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETDRAINSWITCHING无卤素650V0.099Ohm100A118 mJ含铅- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | STB34N65M5 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 650V 28A D2PAK | 对比 |
 | STL38N65M5 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | 8-PowerVDFN | MOSFET N-CH 650V 22.5A PWRFLAT8X | 对比 |
 | STB35N65M5 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET POWER MOSFET N-CH 650V | 对比 |
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