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STL4N10F7备选型号: STL20DN10F7

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  • 电阻
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  • 终端形式
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  • 元素配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 晶体管应用
  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • STMicroelectronics
    STL4N10F7
    STMicroelectronics
    MOSFET N-CH 100V 4.5A 8PWRFLAT
    ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerVDFN
    8
    4.5A Ta 18A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Cut Tape (CT)
    DeepGATE™, STripFET™ VII
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    未说明
    未说明
    STL4
    N-Channel
    70m Ω @ 2.25A, 10V
    4.5V @ 250μA
    408pF @ 50V
    7.8nC @ 10V
    100V
    ±20V
    18A
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    STL20DN10F7
    STMicroelectronics
    MOSFET POWER MOSFET
    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerVDFN
    8
    2
    -55°C~150°C TJ
    Cut Tape (CT)
    DeepGATE™, STripFET™ VII
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    未说明
    未说明
    STL20
    2 N-Channel (Dual)
    67m Ω @ 2.5A, 10V
    4.5V @ 250μA
    408pF @ 50V
    7.8nC @ 10V
    100V
    -
    20A
    ROHS3 Compliant
    无铅
    SILICON
    6
    65mOhm
    62.5W
    FLAT
    R-PDSO-F6
    2
    Dual
    增强型MOSFET
    DRAIN
    6.3 ns
    SWITCHING
    3ns
    4 ns
    20V
    100V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    Standard
  • 添加型号
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