STMicroelectronics STL20DN10F7

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-PowerVDFN

引脚数

8

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

2

Turn Off Delay Time

11 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Cut Tape (CT)

系列

DeepGATE™, STripFET™ VII

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

ECCN 代码

EAR99

电阻

65mOhm

最大功率耗散

62.5W

终端形式

FLAT

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

基本部件号

STL20

JESD-30代码

R-PDSO-F6

通道数量

2

元素配置

Dual

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

6.3 ns

场效应管类型

2 N-Channel (Dual)

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

67m Ω @ 2.5A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4.5V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

408pF @ 50V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

7.8nC @ 10V

上升时间

3ns

漏源电压 (Vdss)

100V

下降时间（典型值）

4 ns

连续放电电流(ID)

20A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏源击穿电压

100V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

Standard

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅